作者：禅与计算机程序设计艺术 1.背景介绍 物理气在半导体表面上是无形的，人们很难直接观察到它，但是对其物理性质和作用机理有比较清晰的认识。人们观察到的，往往是电场、磁场、热流等离散的声音波。...
作者：禅与计算机程序设计艺术 1.背景介绍 物理气在半导体表面上是无形的，人们很难直接观察到它，但是对其物理性质和作用机理有比较清晰的认识。人们观察到的，往往是电场、磁场、热流等离散的声音波。...
外延生长是一种晶体生长方法，其特点是在单晶衬底上生长的薄膜保持与衬底相同的晶体取向和晶格结构。这种生长方式可以精确控制薄膜的厚度、晶体质量和掺杂浓度，对于制造高性能的电子和光电器件至关重要。
运用分子束外延(MBE)技术成功地生长出Zn1-ｘCdxSe/ZnSe超晶格,并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达5级的ZnSe的LO声子峰和ZnSe的TO声子峰；同时还在频移为144 cm-1、370 cm-1处观测到了两个新声子峰,...
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通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶面衬底可有效地抑制GaN外延层中螺旋位错...
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等离子体辅助分子束外延在MgO（111）衬底上外延生长CuO薄膜方法。 反射高能电子衍射监测和X射线衍射分析表明是单晶CuO（002）薄膜。 如果没有任何可检测到的铁磁掺杂剂或第二相，则CuO薄膜在5 K和300 K时均显示出...
固态分子束外延生长InGaAsP太阳能电池的研究
丰导体电路越来越复杂，应用范围不断扩大，这是以相应的半导体材料的生长和加工技术的不断发展为基础的。维度的控制、薄层的组合和材料的纯度是获得所需电性能的前提。
气源分子束外延生长的GaAs基In0.83Ga0.17As光电探测器结构
分子束外延在Si（111）上合成InGaN / GaN多量子阱纳米线及其性能
PbTe(111)薄膜的分子束外延生长及其表面结构特性
报道了一种由低金属组成的Zn极性ZnMgO / MgO / ZnO结构Zn1-MgO层（x = 0.05）原子-原子分子钟形外延生长的石墨烯平面（11-20）的蓝宝石。插入ZnMgO和ZnO层之间的ZnMgO和ZnO层增加了ZnMgO和ZnO层的结构，从而增加了...
去年初，夏普(Sharp)公司在英国实验室的Jon Heffernan等人首次以分子束外延法，制作出波长405 nm激光器二极管，然而最初这些组件仅能以脉冲方式工作，且临界电流非常高。若要应用于商业上，这些激光器势必要能连续...
碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料，分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、原位成结等优势，是第三代红外焦平面陈列(FPA)器件研制的重要手段。本文报道了昆明...
钙钛矿氧化物具有介电、铁电、压电、光电、超导、巨磁电阻以及光学非线性等非常丰富的特性与效应［)］. 随着高质量钙钛矿氧化物
对一种共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件进行了研究。对探测器结构进行设计，研究了不同Al束流和不同生长温度下In0.52Al0.48As 材料的生长质量，结合X 射线衍射及原子力显微镜测试结果确定了In0.52Al0.48As ...
报道了分子束外延生长Hg0.68Cd0.32Te材料的光致发光测量结果。 研究了原生样品和退火处理样品、 以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。 对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度, 与用红外透射谱得到的薄膜...
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讨论了分子束外延的动力学生长模型。并以高能电子衍射的表面鉴定方法,为这一模型提供了证据.以GaAs为例研究了分子束外延的生长速率。并以四极质谱的测定,验证了该速率与Ga通量的关系。从理论与实验两个方面,研究了...
我们在论文中报道了InAs / GaSb超晶格结构的分子束外延生长过程中InSb界面性能的优化和控制。 首先制备了具有相同结构但生长方法不同，常规分子束外延（MBE）和迁移增强外延（MEE）的用于界面层的样品，并比较了它们...
InPBi薄膜是通过气源分子束外延在InP上生长的。 通过卢瑟福反向散射光谱法确定最大Bi组成为2.4％。 X射线衍射测量表明，Bi含量高达1.4％时具有良好的结构质量，Bi含量较高时具有部分松弛的结构。 通过光吸收来测量带...
用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045 μm到1.4 μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-optical phonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量...
与GaN 晶格匹配的InAlN 分子束外延生长及其性能
在本文中，我们报告了通过分子束外延生长中波长红外超晶格材料的过程。 我们将重点放在Craft.io参数（例如砷束等效压力和快门顺序）对关键材料特性（例如晶格失配和表面形态）的影响上。 尽管较小的As束当量压力有助...
本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进行了优化，设计了“两步法”界面控制技术，制备了高质量的77 K光致发光(PL)、发光波长为8．54μm的长波段超晶格材料。研究了表面迁移率增强法外延长波段超晶格的缺陷形成机制...
对使用分子束外延法制造激光器双异质结方面的研究工作进行了评述。比较了用分子束外延法和液相外延法制成的注入式激光器的性能，评价了使用分子束外延法制造较高质量的该类器件的成就和前途。
英国菲利浦研究实验室的一个研究小组已经证明，在量子阱激光器的制造中使用分子束外延技术，在低达707 nm的可见光谱内运转是可能的。如此短的波长对菲利浦的其它研究人员特别是袖珍光盘只读存Jfc器领域中的人员来说...
AHS 量子霍尔传感器的优异特性来自其在薄膜复合技术和器件设计和加工等方面所积 累的大量专业知识，尤其是分子束外延 (MBE) 方面的独特专业知识。AHS公司目前向市场 推出“二维电子气 (2-DEG)”薄膜，这种结构由 ...
分子束外延技术PPT教案.pptx
分子束外延生长GaAsSb外延层中的局部状态研究