势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaN MOS-HEMT的影响，刘红侠，陈树鹏，本文分析了HEMT器件的工作机理和器件的基本物理模型，对器件特性进行了二维数值仿真分析，重点研究了器件势垒层掺杂浓度、栅极金...
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一种新颖的CMOS低压对数缩展滤波器设计方法，黄姣英 ， 何怡刚，文章结合工作在亚阈态的EKV模型，构造了新型的积分器及对数压缩电路和指数扩展电路，设计了截止频率可调的基于全MOSFET的3阶对数缩��
Y2O3/Si界面电学特性研究
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Y2O3/Si界面电学特性研究，王旭，贾仁需，为了研究不同退火温度对Y2O3/Si界面电学特性的影响，对Y2O3/Si界面做快速热退火处理。用CV和IV方法对Al/Y2O3/Si/Al MOS电容进行电学特性测试�
77基于频谱消耗模型的COSMOS DSA实验框架DragoslavStojadinovicPrasadNetalkarstojadin@[email protected]美国新泽西州北布伦瑞克罗格斯大学WINLAB卡洛斯·E凯塞多·巴斯蒂达斯ccaicedo...
超深亚微米MOS晶体管阈值电压的准二维模型，申静，柯导明，本文提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。在这个模型里，对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势��
抑制SiC MOSFET桥式电路串扰问题的驱动方法研究，巴腾飞，李艳，高频桥式电路中的串扰现象，会造成SiC MOSFET的栅源极出现电压尖峰，导致开关管的误导通或栅源极击穿，限制了SiC MOSFT器件的应用。本�
无结FinFET电学特性仿真分析与研究，单婵，王颖，本文针对无结FinFET器件的电学特性进行了仿真研究。无结器件与传统反型器件相比，不含有PN结（传统反型器件在源区和漏区存在PN结）��
Trench MOSFET导通电阻的优化，周倩，陈雪萌，本文基于Trench MOSFET的基本结构、工艺流程研究Trench MOSFET的导通电阻，理论研究导通电阻的主要组成部分及各部分所占的比率。然后通过�
萨宁，杨红，本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳�
基于反激的同步整流系统，输入电压可调范围大，输出稳定，效率高，TI芯片方案，仿真亲测图形稳定美观。含有原理图，PCB，均为AD文件。
功率DMOS的UIS失效机理及改善，任敏，郭绪阳，功率DMOS器件是目前应用最为广泛的新型功率器件。UIS过程是功率DMOS在系统应用中所能遭遇的最极端电热应力情况，因此抗UIS失效能力是�
Apply the latest PSU (11.2.0.4.1) � optionalAt the time of writing this post, the latest Patch Set Update (PSU) was released in January 2014, that being patch 17478514for PSU level 11.2.0.4.1.Downloa...
在目前语音编码不变的前提下，合理控制过覆盖，并减少频繁切换，尽量提升网络质量（RxQual），从而提高部分MOS水平。 目前，在日常的DT测试中，考核语音质量的指标为RxQual（即误码率）。但采用此项指标只能反映...
随着科技日新月异、经济腾飞、产业飞速发展，国防军备竞赛也在以惊人的速度发展。中国国防军备竞赛从20世纪90年代末起便进入了一个蓬勃发展时期。据统计，截至2021年3月，我国参加国防军备竞赛的人数已经超过了7亿。...
ST 品牌 MOS管STD5N20LT4参数： 制造商 STMicroelectronics 产品种类 MOSFET 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/箱体 DPAK-3 通道数量 1Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 200V Id-连续漏极电流 5A Rds...
水稻锌指蛋白基因OsZFP1的功能分析，李贺，韩艺娟，研究表明稻瘟病菌丝氨酸蛋白酶MoSp1可能是一个潜在的致病因子。本实验室前期研究中筛选出稻瘟病菌丝氨酸蛋白酶MoSp1在水稻中的互作�
隧穿型碳纳米管器件栅介质结构优化，王豪，常胜，利用非平衡格林函数方程和泊松方程的自洽求解，实现了对碳纳米管场效应管器件的三维量子模拟，比较了高k和低k介质的隧穿型和MOS型�
关于Li吸附二硫化钼电子结构的研究，唐佳，张茹，备受关注的二维MoS$_2$因其具有优良的半导体性质,是工业应用当中具有巨大潜力的新型材料。近年来,不同原子掺杂MoS$_2$的性能已被研究�
SiC热氧化SiO2的红外光谱研究，田晓丽，龚敏，SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷，影响SiO_2层的质量、SiO_2/SiC界面及SiC MOS器件的击穿特性。本文采用红外光谱技术研�
使用MOSEK和YALMIP设计运放的研究，封家敏，程永亮，在模拟CMOS电路设计中，对于某一个选定的电路结构，如果电路的各项设计目标已经给出，设计者所做的工作即是确定每个MOS管的宽长比��
高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准，李泳佳，夏晓娟，本文基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想，提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比的CMOS电压��
SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究，田晓丽，石瑞英，C元素的存在及其诱生的空位型缺陷影响SiC热氧化SiO2层的质量及SiC MOS器件的击穿特性。本文利用红外光谱研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2�
钛酸钡薄膜的制备及其场发射特性研究，刘爱青，元光，利用钛酸钡（BaTiO3）薄膜替代了金属－氧化物－硅（MOS）结构冷阴极的氧化物绝缘层，并利用场发射扫描电镜、X射线衍射、EDS分析表征�
TMBS 器件刻蚀工艺优化的研究，徐晨余，，本文主要阐述了TMBS（沟槽MOS势垒肖特基二极管）的器件形貌改善经过及结果，并详细介绍了该类型器件围绕刻蚀工艺变更而对各项工艺��
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究，周桂林，张金城，采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术，制备了增强型Si衬底SiO2 /GaN MOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压�
本专栏是计算机视觉方向论文收集积累，时间：2021年6月30日，来源：paper digest ... 直达笔记地址：机器学习手推笔记（GitHub地址） 1, TITLE:Cosmic-CoNN: A Cosmic Ray Detection Deep-Learning Framework, ...
MOS管 制造商Vishay 产品种类MOSFET 技术Si 安装风格SMD/SMT 封装/箱体SO-8-8 通道数量1Channel 晶体管极性P-Channel Vds-漏源极击穿电压-30V Id-连续漏极电流-29A RdsOn-漏源导通电阻5mOhms Vgsth-栅源极阈值电压-...
IC集成学习全栈，资料买之不易，耗时耗神耗力气
EG2302 是一款高性价比的带SD����功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中...
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