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SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.45~1V；
全面认识MOS管，一篇文章就够了
标签： MOS管
从原理到应用详细剖析MOS管
根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。其中，JFET是由一个pn结构组成，而MOSFET则是由一个绝缘栅和源漏极组成。MOSFET又可以分为增强型和耗尽型两种类型。与晶体管相比...
一文详解| 通俗易懂讲解MOS管
标签： 笔记
通俗易懂讲解MOS管
相信很多人在学习集成电路领域的时候 都对MOS管的一些概念理解模糊 包括跨导 小信号模型 MOS管的增益和输出阻抗等 本文将从跨导的定义开始引入 最后总结一些常见MOS电路拓扑的增益我们知道MOS管的抽象模型其实可以...
MOSFET SILVACO仿真 SILVACO 仿真程序和仿真结果
②导通与关断延时：应用在PWM信号传输的应用场合，上升与下降时间会对MOSFET驱动所形成的占空比信号造成一定影响，使其无法达到0%~100%的占空比区间，均会有一定的占空比损失。周期值减去上升与下降时间之和所占周期...
自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个...
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元...
实验报告4(MOSFET工艺器件仿真)
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中*...
MOSFET基于silvaco实验仿真，主要研究其正向导通，反向导通，阈值电压的仿真曲线，以及不同的氧化层厚度，p区掺杂浓度对器件的影响，里面包括源码和对特性仿真曲线的详细分析。
根据MOSFET的简化模型，分析了导通损耗和开关损耗，通过典型的修正系数，修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗，计算结果表明该电源中工况下的MOSFET功率损耗比较小，可以...
死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究...
提出了一种低比导通电阻（R-{{rm on}，{rm sp}}）的可集成绝缘体上硅（MOSFET）MOSFET，并通过仿真研究了其机理。 SOI MOSFET具有双沟槽和双栅极（DTDG SOI）：漂移区中的氧化物沟槽，氧化物沟槽中的掩埋栅插图以及...
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件： 1）上下开关管50%占空比，1800对称的...
计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护...
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中*...
MOSFET选择策略详解
标签： MOSFET
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管（BJT）是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT则不...
MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计，课设时用作参考，十分实用。
短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOSFET在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOSFET型号和设计合适的驱动电路。 电路结构及应用特点 电动自行车的磷酸铁锂电池保护板的放电电路...
MOSFET栅极驱动电路.pdf
标签： 资料
MOSFET栅极驱动电路.pdf
MOSFET损耗详细计算过程
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC ...
MOSFET栅极应用电路分析汇总，主要包含MOSFET知识及解决方案，共160+份文档。 一、MOSFET知识大全 MOSFET损耗计算 AN-6005_Switching_Loss_Calculation 大功率MOSFET的功耗计算 (核心)BoostPFC电路中开关器件的损耗...
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大...
MOSFET因为其控制方式较为简单，输入阻抗较高，噪声低，热稳定性好，寿命较长等优点，被广泛应用在中小功率和高频开关电路中。本文围绕其驱动电路展开研究，了解驱动电路的基本需求后，设计了一种利用脉冲变压器进行...
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