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MOS基础知识

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     因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底（基片）上制作出两个...

     MOS管 G：gate栅极 S：source源极 D：drain漏极 P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出，  S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通 S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通 N沟道相反 N沟道...

     总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值...

     大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档《MOS管原理，非常详细》，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 1. 三个极怎么判定 ...

     MOSFET原意:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化物(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。但随半导体技术的进步，...

     MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，也...

     MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型...

     对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在看波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。　我们测试MOS管GS波形时，有时会看到下...

     vive cosmos使用时需要在电脑上安装一系列的软件才可使用，而vive cosmos是台湾制造的，所以软件在下载安装时会出现网络卡顿现象，导致安装需要很长时间而且需要大量网络流量，而使用这个离线安装包可以让你即使你在...

     最近碰到CMOS的dummy问题 特想请教一下各位的意见 我是觉得 dummy MOS 必须要和被保护的 MOS 管是同一个方向的即：S---D 方向 和 GATE 方向 分别相同 这就牵涉到 designer 必须规定好 dummy MOS 的尺寸 就是说：L...

     MOS管相关仿真实验报告（必做加选做） 电信1806 U201813405 吴叶赛一．MOS管共源放大电路仿真（基本要求）电路如右图所示，注意：1）设置静态工作

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