本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进，使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。
本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进，使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。
采用UMC 0.25 umCMOS工艺模型，使用Hspice 进行模拟，设计的基准源输出电压为900 mV，电源电压可降低到1.1 V，温度系数为8.1*10-6/°C。 输出不随温度、电源电压变化的基准电压源，在模拟和混合集成电路中应用...
为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0.25 μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，...
基于LED驱动芯片的低温漂CMOS基准电压源.pdf
基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6V的CMOS基准电压源。
采用0.5μm标准的CMOS数字工艺，设计了一种适用于低电压工作的带隙基；隹电压源。其特点为通过部分MOS管工作在亚闽值区，可使电路使用非低压制造工艺，在1.5V的低电源电压下工作。该电压源具有结构简单、低功耗以及...
引言 模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准...基于该特性，带隙基准源所采用的基极-发射极结可以被工作在弱反型区的晶体管代替产生低温度系数的基准源。文献中提到采用该设计原理的基准
标签： 电源管理
从调整电路结构着手，介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。
为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得...
基准电压是数模混合电路设计中一个不可缺少的参数，而带隙基准电压源又是产生这个电压的最广泛的解决方案。在大量手持设备应用的今天，低功耗的设计已成为现今电路设计的一大趋势。随着CMOS工艺尺寸的下降，数字...
基准电压源是在电路系统中为其他功能模块提供高精度的电压基准,或由其转化为高精度电流基 准,为其它功能模块提供精确、稳定的偏置的电路。它是模拟集成电路和混合集成电路中非常重要的模块。 基准源输出的基准信号...
高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准，李泳佳，夏晓娟，本文基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想，提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比的CMOS电压��
摘要：随着深亚微米CMOS工艺的发展，尺寸按比例不断缩小，对芯片面积... 当今设计的基准电压源大多数采用BJT带隙基准电压源结构，以及利用MOS晶体管的亚阈特性产生基准电压源；然而，随着深亚微米CMOS工艺的发展，尺寸
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持大输出电流的 3ppm/℃ 最大温度漂移、高精度、低成本 CMOS 电压基准产品系列 —— REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级，先前只有成本高昂的掩埋齐纳技术才能提供。...
摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源...
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持大输出电流的 3ppm/℃ 最大温度漂移、高精度、低成本 CMOS 电压基准产品系列 —— REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级，先前只有成本高昂的掩埋齐纳技术才能提供。...
在传统的电流模电压基准结构下，基于一阶补偿后的电压基准输出特性，设计了一个简单的高、低温补偿电路，在宽的温度范围内(-50~150 ℃)，显著提高了电压基准的精度。同时，对电路进行简单的改进，输出电压获得了高的...
1 引言 近年来，模拟集成电路设计技术随着CMOS工艺技术一起得到了飞速的发展，芯片系统集成（sys2temonchip）技术已经受到学术界及...℃的基准电压，而且由于电路中存在运算放大器，基准源的指标在很大程度上受到运
基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统...
文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证...
本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在SMIC 0.25μm CMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真...
运用带隙基准的原理，采用0.5μm的CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)工艺，设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源．HSPICE仿真结果表明：电源电压VDD最低可达1.9 V，在温度-30～125℃范围内，...
本文介绍了一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实现，采用3.3V电源电压，在-40~100℃范围内，达到低于6ppm/℃的温度系数，在1kHz和27℃下，电源抑制比达到82dB.
阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered 0.25μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明：当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12·10-6/℃...
摘要：随着深亚微米CMOS工艺的发展，尺寸按比例不断缩小，对芯片面积的... 当今设计的基准电压源大多数采用BJT带隙基准电压源结构，以及利用MOS晶体管的亚阈特性产生基准电压源；然而，随着深亚微米CMOS工艺的发展，
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究，设计了一种带隙基准电压源。基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明，该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作，功耗小于0.5mW，输出电压为1.25V，温度系数...
设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7...