标签： 电源管理
从调整电路结构着手，介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。
其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025...
一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源.pdf
在传统的双MOS管电压基准源基础上，基于0.18 μm CMOS工艺，设计了一种新型的自稳压五MOS管电压基准源。Spectre仿真结果显示，0~120 ℃范围内，该自稳压五MOS管电压基准源的平均温度系数为39.2 ppm/℃；电源电压1.0~...
电压基准源设计ADC中基准电压源CMOS带隙基准电压设计论文资料10篇合集: 12bit 50MSPS流水线ADC中基准电压源的设计.pdf 一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计.pdf 一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计.pdf 低...
中华电子采购网讯（8月17日）日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持大输出电流的 3ppm/℃ 最大温度漂移、高精度、低成本 CMOS 电压基准产品系列 —— REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级，先前...
一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源.pdf , 相关下载链接：https://download.csdn.net/download/u013883025/20467693?utm_source=bbsseo
文章基于CMOS 0．18μm工艺，在Hspice下，对四利PMOS管基准电压源进行了分析和仿真，文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果。
日前，德州仪器(TI)宣布推出支持大输出电流的3ppm/℃最大温度漂移、高精度、低成本CMOS电压基准产品系列——REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级，先前只有成本高昂的掩埋齐纳技术才能提供。虽然REF50...
CMOS带隙基准电压源的设计、电子技术,开发板制作交流
Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电...
在传统带隙基准电压源电路结构的基础上，通过在运放中引入增益提高级，实现了一种用于音频Σ-ΔA/D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比（PSRR）和较低的温度系数。该电路采用SIMC ...
结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的载流子迁移率和亚阈值斜率的温度系数。基于SMIC0.13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在温度为-55~90℃的范围内，...
电压基准是LDO线性稳压器的核心部分，它的精度直接影响到输出电压的精度。本文针对低功耗LDO线性稳压器一方面有较低的静态电流的要求，另一方面又有较高的精度要求，提出了一种简单实用的电压基准电路。本电路采用...
其中电压基准源是模拟电路设计中的关键模块，应用广泛。它一般要求低电源电压敏感性，低温度漂移特性。传统的基准源电路都是基于带隙基准，利用标准CMOS工艺中的垂直PNP管，但输出电压一般为1.2V左右。随着电路工作...
基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想，提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比（PSRR）的CMOS电压基准源，该电路可同时提供多个输出基准电压，且输出电压可调。该基准源基于...
由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙基准电压源的电路设计 1.1 基本原理 本设计利用晶体管基射...
在标准的0.18μmCMOSCraft.io中实现了低于1 V的超低功耗电压基准，而无需使用电阻器和特殊的阈值电压器件。 在-40°C〜60°C的温度范围内，可获得37.8 ppm /°C的温度系数（TC）。 电源电压范围为1 V至3 V，并且线路...
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25...
摘要：在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于...
本文为读者提供了关于低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究方案，供正在学习的读者参考学习。
最小电源电压为0.6V，23.5ppm /ºC的亚阈值CMOS电压基准，变化系数为0.45％
引言 模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current ...基于该特性，带隙基准源所采用的基极-发射极结可以被工作在弱反型区的晶体管代替产生低温度系数的基准源。文献中提到采用该设计原理的
本文对电压基准源引起的ADC系统的DNL误差进行了建模分析，提出了一种采用二阶曲率补偿技术的电压基准源电路，该电路运用低噪声两级运放进行箝位，同时在采用共源共栅电流镜技术的基础上加入了PSR提高电路。...
本文利用高电源抑制比电路设计的和式偏置电流源进一步提高了电源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VTHN和VTHP具有相同方向但不同数量的温度系数，设计了一种基于不同VTH值的新型CMOS基准。该设计充分利用...
采用共源共栅电流镜结构以及精度调节技术，有效提高了电压基准的温度稳定性和输出电压精度。经Hynix 0.5 μm CMOS工艺仿真验证表明，在25 ℃时，温度系数几乎为零，基准电压随电源电压变化小于0.1 mV；在-40～125 ℃...
本文立足于低功耗、小面积、利用工作于弱反型区晶体管的特点，对传统的带隙电压基准源做出改进，设计了一款最大消耗380 nA电流的电压基准源，大大减小了面积，且与CMOS工艺兼容，同时提出一种新的不耗电的启动电路。...
依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低...