Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结中的光子限制了电子迁移率
Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结中的光子限制了电子迁移率
在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统,雷双瑛,,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研究了AlGaN/GaN双量子阱中的子带间跃迁。发现AlGaN/GaN双量子阱中通过加外电场或者调节双量子
高压AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的电场调制技术
在硅衬底上具有MIS门控混合阳极的0.3 VT / 1.1 kV AlGaN / GaN横向功率二极管
质子辐照下AlGaN / GaN异质结构中体陷阱和界面态的表征
适用于微波功率应用的高线性度AlGaN / GaN FinFET
据报道,在6 K下,Al-.GaN / GaN异质结构中的二维电子气(2DEG)漂移引起的宽带太赫兹(THz)发射。 该器件根据史密斯-珀塞尔效应和2DEG中“浅水”等离子体的不稳定性机理设计为THz等离子体激元发射体。 由于未观察...
金刚石层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管电学特性的影响
高温栅极凹槽技术制造的高RF性能增强模式Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT
CHF3等离子体处理对通过低温测量确定的AlGaN / GaN HEMT的影响
高性能,端边缘杂化阳极的AlGaN / GaN功率二极管
有限厚垒应变纤锌矿AlGaN/GaN异质结中的电子迁移率及其压力效应,武维,班士良,基于力平衡方程,考虑界面和半空间模光学声子对电子的散射,讨论室温及高于室温下,有限厚垒应变纤锌矿氮化物AlGaN/GaN异质结中的电
势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaN MOS-HEMT的影响,刘红侠,陈树鹏,本文分析了HEMT器件的工作机理和器件的基本物理模型,对器件特性进行了二维数值仿真分析,重点研究了器件势垒层掺杂浓度、栅极金...
基于AlGaN / GaN异质结构的三势垒共振隧穿二极管的理论模型
Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN layer by MOCVD
界面陷阱对常关AlGaN / GaN MOS-HEMT的开关行为的影响
Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的极化诱导的远程界面电荷散射
用于零偏置微波检测的高灵敏度AlGaN / GaN横向场效应整流器
Low-resistance Ohmic contact on polarization-doped AlGaN/GaN heterojunction
用于AlGaN / GaN MIS-HEMT的LPCVD-SiNx栅极电介质与III型氮化物之间的界面研究
具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理
N等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应的影响
界面状态对常关AlGaN / GaN MIS-HEMT开关行为的影响
Modulation of Multidomain in AlGaN/GaN HEMT-Like Planar Gunn Diode
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电场驱动等离激元色散
AlGaN / GaN异质结构上具有低退火温度的超低接触电阻无金欧姆接触
ICP氟等离子体处理增强型AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管
具有MIS门控混合阳极的横向AlGaN / GaN二极管,用于高灵敏度零偏置微波检测