这项研究通过低频1/f噪声测量方法,探究了在关态(OFF-state)应力作用下,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)中由应力引起的损伤的定位。研究中结合了电致发光(EL)分析,以更准确地确定损伤的位置和性质。研究...
这项研究通过低频1/f噪声测量方法,探究了在关态(OFF-state)应力作用下,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)中由应力引起的损伤的定位。研究中结合了电致发光(EL)分析,以更准确地确定损伤的位置和性质。研究...
1.创建网格 width 网格宽度? y方向网格与厚度不一致 2.第一层 -5~-0.603 GaN衬底 第二层 3nm InGaN 井 20%In well.ny...第三层 100nm AlGaN 20%Al 第四层 500nm GaN 3.掺杂 均匀掺杂 4.物理模型选择 ...
# (c) Silvaco Inc., 2018 ...# GaN LED Device Simulation # # Blue single-quantum well LED # # Parameter used for this blue SQW LED #############################################################...
go atlas simflags="-p 4" mesh width=1000 x.mesh location=-2.5 spacing=0.5 x.mesh location=-1.2 spacing=0.1 x.mesh location=-1 spacing=0.05 x.mesh location=-0.5 spacing=0.1 x.mesh location=0 spacing=...
共振隧穿二极管(Resonant tunneling diode)是一种纳米量子电子器件。利用超晶格中能带不连续的特点(energy discontinuity),势阱层中可产生量子效应,即载流子输运区域中可产生能级分立的量子态(quantized states)。...
function P = P_tunnel_fun_2...global Pscale1 Pscale2 q c0 c_AlN c_AlGaN Vth d1 d2 Phin mm mAlGaN mAlN mGaN N h;%-------构建能带分布(V=Vth)-----------%能带信息计算detaEc_AlN_GaN = 0.7*(6.14-3.43);deta...
隧穿结是半导体器件中的重要组成部分,根据载流子的输运原理可分为带内隧穿结(intraband tunnel junction)和带间隧穿结(interband tunnel junction)。 带内隧穿结在半导体电子器件和光电子器件中较为常见,如在欧姆...
8217基于非对称循环映射的冉毅,刘永进,北京自然科学研究院计算机科学系中国清华大学{yr16,liuyongjin}@tsinghua.edu.cn作者:Lai Yu-Kun,PaulL.松香英国卡迪夫大学计算机科学与信息学院{LaiY4,RosinPL}@ ...
14020非成对图像翻译中用于对比学习的实例硬反例生成WeilunWang1,WeenganggZhou1,2*,JianminBao3,DongChen3,HouqiangLi1,2†1中国科学技术大学电子信息系统系GIPAS中国科学院重点实验室2合肥综合性国家科学...
(什么是增强型、什么是耗尽型?其内部的主要差别是什么?) 作者:Xie M. X.... 总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;...
# (c) Silvaco Inc., 2018 ...# GaN LED Opto Device Simulation # # UltraViolet Multi-quantum well LED # APL Vol.73 No.12. 21 Sep.(1998) pp.1688-1690 # # Parameter used for this UV MQW LED ########...
主要的散射机制: 升学形变散射 声学波压电散射 极性光学声子散射 合金无需散射 界面粗糙度散射 位错散射 调制掺杂的远程散射 合金无序散射和调制掺杂的远程散射...GaN HEMT中没有电离杂质对于的库伦散射,所以具有...