GaN器件的工作原理
标签： 器件学习
图2.4（a）给出了AlGaN/GaN HEMT 器件工作时的偏置情况，栅极加负压，漏级加正压，源极接地，通过改变偏置电压，来实现器件不同的工作状态。较大时，沟道夹断点向源极方向移动，在沟道与漏区之间形成一段耗尽区，...
”AlGaN/GaN“ 的搜索结果
图1（a）展示了AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的三维结构示意图，源极和漏极为左右两侧台面上的金属电极，栅极的设计采用凹槽和Al0.20Ga0.80N层功能结构。图1（b）为实验测得的光暗电流，由于暗电流值太小超过了源表的...
本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程，针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出了一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。...
为进一步优化器件性能，技术团队对场板结构的长度、厚度、材料等参数进行了优化设计，例如图2（a）-（d）的研究结果所示，随着SiO2、Si3N4、Al2O3、HfO2的介电常数从3.4、7、9增加到20，凹槽阳极侧壁的电荷耦合效应...
通过许多实验发现，邻近的AlGaN / GaN异质结构中的电子迁移率是高度各向异性的，这被认为是由邻近的异质界面处的台阶引起的。 但是，由于很难找到所有方向上的电子弛豫时间的通用表达式，因此对这种实验结果没有理论...
AlGaN/GaN pressure sensor with a Wheatstone bridge structure
研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压...
基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN /GaN HEMTs功率器件，器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明，器件电流密度0.784A/mm，跨导197mS/mm，关态击穿电压>80V，截止态漏电很小，栅宽1mm的器件的单位截止频率...
Ti / Al / Ti / W无金欧姆接触通过预欧姆凹槽蚀刻和低温退火与AlGaN / GaN异质结构的机理
新型RESURF AlGaN / GaN HEMT的击穿电压分析
表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2 dimensional electron gas，2DEG)形成之间的关系，分析施主表面态电离过程�
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的储热
极化掺杂的AlGaN / GaN异质结上的低电阻欧姆接触
LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究
AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管基于物理的阈值电压模型
带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
具有MIS门控混合阳极的横向AlGaN / GaN二极管，用于高灵敏度零偏置微波检测
生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性，梅菲，付秋明，本文研究了用射频等离子体援助分子束外延，生长在蓝宝石衬底上的Al0.30Ga0.70N/GaN异质结。20纳米的Al0.30Ga0.70N阻挡层沉积在2微米的半绝缘
摘要本文提出了一种新型的用于GaN HEMTs（氮化镓高电子迁移率晶体管）的小信号等效电路，包含20个元件，并相应地开发了一种直接提取方法。与基于GaAs的传统16元件HEMT小信号模型（SSM）相比，新模型考虑了两个额外的...
通过金属有机气相沉积（MOCVD）在C面蓝宝石上生长使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格（SLs）作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构。 与传统的硅掺杂结构相比，电性能得到改善。 平均薄层电阻为287.1Ω/ sq; 整个2英寸外延层...
实验验证了具有新型源极连接的空气桥场板（AFP）的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。 该器件具有一个金属场板，该金属场板从源极跳到栅极区域上方，并降落在栅极和漏极之间。 当与具有常规场板（CFP）结构的...
制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围，光谱响应的峰值响应率分别为288 nm处0.717 ...
本文讨论了介电沉积之前进行N-2等离子体处理对通过原子层沉积沉积Al2O3的Al2O3 / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）的电性能的影响。 结果表明，采用N-2等离子体对Al2O3 / AlGaN界面进行...
研究了极化的P（VDF-TrFE）铁电聚合物门控对AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）的影响。 通过施加电场，AlGaN / GaN MOS-HEMT的源极/漏极访问区中的P（VDF-TrFE）门被正极化（即，部分带...
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200～600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化。对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最...
利用传递矩阵法，通过Matlab软件计算了基于AlGaN/GaN材料体系的三能级量子级联激光器导带子能级与电子波函数的分布，详细分析了由该材料特有的极化效应所产生的极化场，得出了在近共振条件下偶极跃迁元、外加电场、...
研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的特性。该器件包括栅长0.8μm共源器件与栅长1μm的共栅器件。研究表明，共栅共源器件的第二栅压对的器件饱和电流与跨导有明显的调制作用，容易实现功率增益控制。与共源器件...
对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大...
在这项研究中，通过使用p-AlGaN / GaN超晶格最后量子势垒，可以大大降低InGaN发光二极管（LED）的效率下降。 效率下降的减少主要是由于电子电流泄漏的减少和空穴注入效率的提高，这通过研究光电流，内部量子效率，能...
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