技术标签: 电子电路基础
- “线性电阻”为经过u-i 平面原点上的一条直线;
- “非线性电阻”为经过u-i 平面原点上的一条曲线;
- “线性电容”为经过q-u 平面原点上的一条直线;
- “非线性电容”为经过q-u 平面原点上的一条曲线;
“线性电感”为经过O-i 平面原点上的一条直线;
“非线性电感”为经过O-i 平面原点上的一条曲线;
理想电流源:二端元件两端电源不随流过它的电压变化,保持固定的数值/变化规律。
“理想电流源”的伏安特性: 一条平行于电压轴的直线。
电流源符号:
- 开路工作状态:
- 电路外接末端未接任何负载,端电流 i = 0 (开路),
- 此时, 端口电压由电路内部电流与结构决定,称为“开路电压”,记作 uoc 或 Uoc
- 短路工作状态:
- 电路外接端直接用导线连接,端口电压 u = 0 (短路)
- 此时,端电流由电路内部电源与结构决定,称为短路电流,记作 isc 或 Isc
- 负载状态
- 满载:电路负载工作时,如果电路各元件都能长期、可靠,且又以效率高、经济性好等最佳状态工作,可称为“额定工作状态”,即“满载”。
过载:当电流大于额定电流时,称为“过载”。
轻载:当电流小于额定电流时,称为“欠载”或“轻载”。
- 额定值表明了电气设备的正常工作条件、状态和容量,使用电气设备时,要注意不要超出其额定值,避免出现不正常的情况和发生事故。
- 注意:使用中,电气设备的实际电压、电流、功率不一定等于其额定值。
背景:基尔霍夫定律,是1845年德国物理学家G.R.Kirchhoff提出的,定律阐述了集总参数电路各结点电压之间和各支路电流之间的约束关系,是电路理论的最基本定律。
电路基本术语
- 在定义了电流的参考方向的前提下,KCL公式:
注意:当支路k的电流参考方向指向结点 n, 则在上述求和式中取 “+”, 当支路 k 的电流参考方向背向结点 n, 则在上述求和式中取“-”。
- 在定义了电压的参考方向和回路的绕行方向的前提下,KVL公式:
注意:当支路 k 的电压参考方向与回路 L 的绕行方向一致, 则在上述求和式中取 “+”, 当支路 k 的电压参考方向与回路 L 的绕行方向相反, 则在上述求和式中取“-”。
(1) 等效电路:两个电路具有完全相同的“对外连接端”,两者分别和任意其他的电路成分构成完整电路,如果电路的其它部分工作完全一致,则这两个电路互为等效电路。
注意:电路中的一部分用其等效电路替换后,电路其它部分的工作情况保持不变;等效只能适合用于外部,对于互相等效的两个电路内部工作一般是不等效的。
(2) 电阻的串联等效、分压
- “电阻串联”等效为“单个电阻元件”;
- 两个电阻串联的等效条件:R = R1 + R2;
- N个电阻串联,等效电阻值为各串联电阻值的总和:
- 电阻串联分压公式:
(3) 电阻的并联等效、分流
- “电阻并联”也等效为“单个电阻元件”;
- 两个电阻并联的等效条件: G = G1 + G2 或 R = R1 * R2 / R1 + R2
- N个电阻并联,等效电导值为各并联电导值的总和:
- 电阻并联分流公式:
(4) 电源的串、并联等效
- “电压源” 与 “任意非电压源元件(包括电流源)”并联,等效为一个 “同值电压源”。
注意:不同数值的电压源禁止并联!
- “电流源” 与 “任意非电流源元件(包括电流源)”串联,等效为一个 “同值电流源”。
注意:不同数值的电流源禁止串联!
设电路具有N个结点、B条支路,支路电流法分析过程:
(注意:关键步骤是:寻找B - N + 1 个独立的回路)
- 利用元件的特性约束可将支路电压表示为支路电流的函数:
- 列电路的结点KCL(N-1个方程):
- 在电路中找出 B - N + 1个独立回路列KVL方程:
- 联立求解上述2、3列出的B个方程。
平面电路的网孔:在平面电路中,如果某回路所包含的区域内不存在任何支路,则这个回路称为平面电路的一个网孔。
根据网络图论,平面电路的所有内网孔是相互独立的回路,且平面电路的内网孔数恰好是(B - N + 1), 因此,可以选取所有内网孔作为列出KVL方程的独立回路。
网孔电流法的分析过程:
- 将含源支路转化为电压源与电阻串联的形式,(按一致的绕向)设定各网孔电流;(电源的形式是“电压源”)
- 对每个内网孔列出网孔方程(这里以k个内网孔为例):
- 联立求解上面的 k 个网孔方程,求出网孔电流:
- 根据各个支路的连接位置,利用网孔电流求出所需的支路电流,再根据支路的特性确定支路电压。
结点电压分析法:
- 选取参考结点,其它结点标号为 1 ~ N-1 ,将含源支路转化为电流源与电导并联的形式;
- 对参考结点以外的其它各个结点列写结点电压方程:
- 联立求解上面的 N - 1个结点电压方程,求出结点电压:
4.根据各个支路的连接位置,利用结点电压求出所需的支路电压,再根据支路的特性确定支路电流。
eg: 以 d 为参考点,分析结点电压:
利用支路特性方程、KVL将各个支路的电流表示成结点电压,得出结论&规律如下:
“替代定理”与“等效电路”的区别分析:
- 替代定理:是在电路固定的前提下,替代一个已知端口电压电流的分支,对其它部件进行分析。
- 等效电路:不要求被替换的部分端口电压电流已知,两者的等效可以适用于各种电路结构中,并不局限于固定的电路。
等效电源定理的应用:
- “等效电源定理”只适用于“线性电路”。
- 在电路分析中,等效电源定理主要用在两个方面:
1)将负载(响应端)以外的其它线性电路部分用等效电路替代,使分析简化;
2)如果电路中只有一个非线性元件,将除非线性元件以外的电路部分用等效电路替代,使电路成为一个单回路简单电路,便于分析。
正弦电压表达式:
- 正弦电流:随时间按正弦规律变化的电流。
正弦电流表达式:
- 以正弦电流为例,三要素的具体表示如下:
相位差表达式:
周期和频率的关系,频率表达式:
角频率与周期及频率的关系,角频率表达式:
1. 有效值定义的表达式:
2.周期电流的有效值:
3. 由此可推出,正弦电流的有效值为:
4. 正弦电压的有效值为:
5. 有效值向量和振幅相量的关系:
1.半导体:根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体、半导体。
注意:
- N型半导体中多数载流子是自由电子;
- P型半导体中多数载流子是空穴;
- 无论是N型半导体,还是P型半导体,虽都有一种载流子占多数,但整个晶体仍然是“不带电的”,宏观上保持电中性。
- 掺杂半导体的 “多子浓度” 和 “导电能力”,均由掺杂浓度决定。
漂移运动: 在电场的作用下,载流子的运动称为“漂移运动”,由漂移运动产生的电流为漂移电流。
扩散运动:由于浓度差引起的载流子运动称为“扩散运动”,产生的相应电流为扩散电流。
- 进入空间电荷区的少子,内建电场又将其驱动到对面(漂移运动),在一定温度下,如果无外界电场的作用,达到动态平衡,形成PN结。
- 扩散电流等于漂移电流;
- PN结中没有静电流流动;
- 耗尽区 / 阻挡层:指的是空间电荷区。
- 当外加电场加入后,如果外电场方向与内电场方向一致(即“外加电压挣正端接N区,负端接P区),内建电场得到加强,空间电荷区加宽,载流子更难通过,因此不能导电(截至)。
- PN结加反向偏压,不导电(截止):
- 当外加电场方向与内电场方向相反(即“外加电压正端接P区,负端接N区”),内建电场受到削弱,空间电荷区变窄,载流子易于通过,因而产生导电现象(导通)。
- PN结加正向偏压,导电(导通):
- 这种只有一种方向导电的现象,称为“PN结的单向导电性”。
- 当稳压二极管处于正向偏置时,其特性和普通二极管相同;
- 当稳压二极管处于反向偏置时,如果电压较小,则二极管处于截止状态,电流近似为 0 ;
- 当电压达到击穿电压值时,电流迅速增大,稳压二极管处于稳压状态。
- U2 < 0 , 二极管截止,输出电流为 0 ,即 U0 = 0
- U2 > 0 , 二极管导通忽略二极管正向压降,即 U0 = U2
- “单相半波整流”的输出电压平均值(U0):
- 二极管上的平均电流:ID = I0
- 二极管上承受的最高电压:
- 输入电压的正负半周都有电流流过负载,且电流方向一致(单向脉动)。
- “单相桥式全波整流的输出电压U0平均值(直流分量):
- 负载平均电流: I0 = U0 / RL
- 每个二极管中流过的电流是负载电流的一半,选择整流二极管要求最大整流电流满足:
- 一对二极管在反向截止时,每个管子承受的电压都是变压器二次电压的峰值,选择整流二极管时要求反向工作峰值电压满足:
- 受控电压源的符号:
- 受控电流源的符号:
- 对于电压信号源来说,放大电路的输入电阻越大越好,放大电路从信号源吸取电流小,信号源的负载轻;
- 对于电流信号源来说,放大电路的输入电阻越小越好。
- NPN型晶体管:
- NPN型电路符号:
- PNP型晶体管:
- PNP型电路符号:
- 晶体管工作在截止区 时,各极电流基本为零,可等效为断开的开关;
- 晶体管工作在放大区 时,集电极电流随基极电流变化,可等效为电流控制电流源;
- 晶体管工作在饱和区 时,各极之间的电压基本为零,可等效为闭合的开关。
- 截止区:IB = 0曲线以下的区域。
- 条件:发射结零 或 反偏, UBE <= 0 , 集电结反偏。
- IB = 0, IC = IE = ICEO (穿透电流)
- 放大区:特性曲线中,接近水平的部分。
- 条件:发射结正偏,集电结反偏。
- 饱和区:特性曲线左边UCE很小的区域。
- 条件:发射结正偏,集电结正偏。
- UBE > 0 , UBE > UCE , UC < UB
- 固定的近似条件:UBE = 0.7V(硅管), UBE = 0.3V(锗管)
- IBQ 、ICQ、UCEQ的计算公式:
- 检验晶体管是否处于放大状态:
1)若IBQ < 0, 晶体管截止;
2)若UCEQ < UCES(=0.3V), 晶体管饱和。
- 放大电路“静态工作点”分析例子解析:
- 静态工作点分析,公式求解如下图所示:
晶体管的小信号微变等效电路:
放大电路的小信号微变等效电路:(“-”表示反向放大电路 )
放大电路动态分析例子解析1:
条件:
步骤一:画出小信号等效电路
步骤二:公式求解如下图所示:
- 放大电路例子解析2:
- (1)静态分析,集电极静态电流为1mA, 所以,基极电流 IBQ为:
- (2)动态分析,求 r be :
- 画出放大电路的微变等效电路:
- 电压放大倍数:
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