DRAM和SRAM的区别_sram和dram的主要区别-程序员宅基地
一、RAM
介绍
RAM，即随机存储器或者易失性存储器，因为断电后就失去保存的数据。
分为SRAM和DRAM：
-
DRAM，即动态随机存储器，一般用于内存，需要不断地刷新电路，否则数据就消失了。
-
SRAM，即静态随机存储器，一般用于CPU中的cache（高速缓冲存储器），不需要不停地刷新电路来保存数据。
特点如下：
下面详细阐述一下区别：
DRAM和SRAM区别
1. 内部结构不同
- SRAM是依靠触发器存储数据，每个存储元（存储1bit数据）需要花费6个晶体管才能存储1 bit 。所以SRAM的集成度低、占用面积大。
- SRAM在读数据时，就是相当于“查看”寄存器的状态，写数据就是改变寄存器的状态。
SRAM存储元结构，如下图：
- DRAM依靠电容存储，每个存储元只需要花1个电容和1个晶体管。DRAM的数据实际上是存在电容里。但是电容放久了，内部的电容就会越来越少，对外不能形成电位的变化。
- DRAM是通过检测是否有电流来确定存储的数据是1或0，有电流（有电荷存储）时为1，无电流为0。
DRAM存储元结构，如下图：
注意：
1.DRAM为什么要不断刷新电路？
当对DRAM进行读操作的时候需要将电容与外界形成回路，通过检测电流变化判断存储元存储的是1还是0（是1就有电荷流出产生电流，是0则没有）。在进行读操作时，如果原来的数据是1，读完之后电荷顺着电流探测电路流走了，就变成0 了，下次再读的时候就不是原来的数据了。所以在读操作结束后需要刷新电路，重新将数据写回DRAM中。
此外，电容上的电荷也只能保存2ms左右，所以即便没有发生读写读写操作，也会对DRAM刷新。
2.多久刷新一次？
因为，电容上的电荷也只能保存2ms左右，计算机一般每隔2ms也都会进行DRAM刷新。
3.每次刷新多少存储单元？
以行为单位，每次刷新一行存储单元。
4.如何刷新？
不需要CPU控制，有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期。
5.什么时候刷新？
2. 寻址方式不同
SRAM的存取速度很快，但是地址线需要更多，这是因为SRAM和DRAM的寻址方式不同：
- SRAM同时发送行地址和列地址，把行地址和列地址拼接起来作为一次读写访问的地址，然后放到地址线上；
- SRAM有可能并没有把行地址和列地址拆分成长度相等的两段，并且行地址线和列地址线都是单独存在；
- DRAM是把行地址和列地址分为长度相等的两段，然后分两次发送；
- DRAM可以地址线复用，也就使用同一跟地址线分别发送行地址和列地址，减少了地址线的使用
二、ROM
ROM，即只读存储器或者叫非易失性存储器，因为断电后数据依然能够保存。
分类如下：
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